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BC847BPDXV6T1中文资料

BC847BPDXV6T1图片

BC847BPDXV6T1外观图

  • 大小:95.83KB
  • 厂家:ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述:Dual General Purpose Transistor
  • 标准包装:4,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN,PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA / 650mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大:500mW
  • 频率 - 转换:100MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装:SOT-563
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:BC847BPDXV6T1OS

BC847BPDXV6T1供应商

更新时间:2023-02-04 14:40:57
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